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APD430雪崩光電探測器 空間光
產(chǎn)品概述：雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應(yīng)用，APD430集成了熱敏電阻，可調(diào)節(jié)偏置電壓，以補償溫度變化對M因子產(chǎn)生的影響。
產(chǎn)品型號：APD430
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技術(shù)支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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產(chǎn)品介紹
1. 概述
雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。我們除了標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)的版本。
一般而言，雪崩光電二極管利用內(nèi)部增益機制來增加靈敏度。將一個較高的反向偏壓施加到該二極管來產(chǎn)生強電場。當(dāng)入射光子產(chǎn)生一個電子空穴對時，電場使電子加速，導(dǎo)致由碰撞電離產(chǎn)生次級電子。所產(chǎn)生的電子雪崩將產(chǎn)生幾百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M與反向偏壓和溫度呈函數(shù)關(guān)系。一般而言，M因子隨溫度降低而增大，隨溫度升高而減小。類似地，M因子將在反向偏置電壓升高時增大，在反向偏置電壓降低時減小。
APD430集成了熱敏電阻，可調(diào)節(jié)偏置電壓，以補償溫度變化對M因子產(chǎn)生的影響。除了溫度補償之外，選配可調(diào)增益的版本可通過外殼背面的電位器調(diào)節(jié)二極管兩端的反向偏置電壓，以改變M因子。
2. 特點
- 溫度補償
- 選配可調(diào)增益
- 最大帶寬可達400MHz
- 30mm光學(xué)籠式系統(tǒng)
3. 應(yīng)用
- 探測弱光信號
- 激光雷達
4. 規(guī)格
| 型號 | APD430A-10M | APD430A-50M | APD430A-200M | APD430A-400M |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | Si | |||
| 波長范圍 | 400-1100nm | |||
| 光敏區(qū)域直徑 | 500um | 230um | ||
| 響應(yīng)度 | 0.55A/W @ 905nm (M = 1) | |||
| 帶寬a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升時間a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 1.4x10^7V/W | 2.7x10^6V/W | 1.2x10^6V/W | 0.52x10^6V/W |
| 飽和光功率 | 0.23uW | 1.3uW | 2.5uW | 5.8uW |
| 噪聲電壓a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大輸出電壓b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪聲等效功率 | 0.11pW/√Hz | 0.23pW/√Hz | 0.28pW/√Hz | 0.64pW/√Hz |
| 型號 | APD430C-10M | APD430C-50M | APD430C-200M | APD430C-400M |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波長范圍 | 1000-1700nm | |||
| 光敏區(qū)域直徑 | 500um | 200um | ||
| 響應(yīng)度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 帶寬a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升時間a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 3.2x10^6V/W | 0.65x10^6V/W | 4.0x10^5V/W | 1.8x10^5V/W |
| 飽和光功率 | 0.98uW | 4.8uW | 8uW | 16.7uW |
| 噪聲電壓a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大輸出電壓b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪聲等效功率 | 0.42pW/√Hz | 0.71pW/√Hz | 0.84pW/√Hz | 1.8pW/√Hz |
| 型號 | APD430C-ITRI1 | APD430C-ITRI2 | APD430C-ITRI3 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | |||
| 波長范圍 | 1000-1700nm | 1000-1700nm | 1000-1700nm | |||
| 光敏區(qū)域直徑 | 1mm | 1mm | 1mm | |||
| 響應(yīng)度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 帶寬a | DC-120MHz | DC-100MHz | DC-80MHz | |||
| 上升時間a | 3ns | 3.5ns | 4.5ns | |||
| 增益b | 4x10^5V/W | 4x10^5V/W | 4x10^5V/W | |||
| 飽和光功率 | 8uW | 11.4uW | 8uW | |||
| 噪聲電壓a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | |||
| 最大輸出電壓b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | |||
| 型號 | APD430C-ITRI4 | APD430C-ITRI5 | APD430C-ITRI6 | |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波長范圍 | 1000-1700nm | |||
| 光敏區(qū)域直徑 | 500um | 1000um | ||
| 響應(yīng)度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 帶寬a | DC-180MHz | DC-400MHz | DC-20MHz | |
| 上升時間a | 2ns | 1ns | 18ns | |
| 增益b | 1.8x10^5V/W | 3.6x10^4V/W | 1.8x10^6V/W | |
| 飽和光功率 | 17.7uW | 88uW | 1.78uW | |
| 噪聲電壓a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | |
| 最大輸出電壓b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | |
| 噪聲等效功率 | pW/√Hz | pW/√Hz | 0.85pW/√Hz | |
| 型號 | 探測器公共參數(shù) |
|---|---|
| 工作電壓 | 9V |
| 工作電流 | <200mA |
| 輸出阻抗 | 50Ω |
| 輸出耦合方式 | DC |
| 輸出接頭 | SMA female |
| 工作溫度 | -10~65℃ |
| 存儲溫度 | -40~85℃ |
備注：
a 對于50Ω負(fù)載
b 對于高阻負(fù)載
5. 響應(yīng)曲線
6. 增益調(diào)節(jié)（選配）
外殼后端有一個電位器旋鈕，順時針調(diào)節(jié)可加大增益，出廠默認(rèn)為最大增益。
7. 機械尺寸
8. 發(fā)貨清單
| 序號 | 物資名稱 | 數(shù)量 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 光電探測器 | 1 | 個 | |
| 2 | 電源適配器 | 1 | 個 | 9V |
| 3 | SMA轉(zhuǎn)BNC射頻線 | 1 | 根 |
光電探測器常見問題
快捷選型表
| 選型描述 | 備注 | 鏈接 |
|---|---|---|
| 800-1700nm光纖輸入的光電探測器 | 光纖輸入 | 查看 |
| 800-1700nm的空間光輸入光電探測器 | 空間光輸入 | 查看 |
| 400-1100nm光纖輸入硅光電探測器 | 光纖輸入 | 查看 |
| 400-1100nm空間光輸入硅光電探測器 | 空間光輸入 | 查看 |
| 1G帶寬以上的光電探測器 | 1G帶寬以上 | 查看 |
知識擴展
光電探測器V3結(jié)構(gòu)升級，兼容Thorlabs的FC轉(zhuǎn)接盤
[產(chǎn)品動態(tài)] 2024-05-28 23:58:08
光電探測器V3結(jié)構(gòu)升級，在光電探測器的前端預(yù)留了sm1的外螺紋。可以兼容thorlabs的FC轉(zhuǎn)接盤。當(dāng)選擇光纖輸入時，裝上FC轉(zhuǎn)接盤，這樣就可以選擇光纖轉(zhuǎn)接輸入。
1064nm光電探測器用于氣象激光雷達
[產(chǎn)品動態(tài)] 2024-05-11 06:59:01
1064nm的光電探測器，用于氣溶膠，大氣激光雷達等應(yīng)用，這款探測器采用硅材料的APD光電二極管，在1064nm處進行了增強，依然擁有0.36V/Ｗ的響應(yīng)度。使得對1064nm的光反應(yīng)及其靈敏。
客戶名錄
- 西北工業(yè)大學(xué)
- 南京大學(xué)
- 東南大學(xué)
- 廈門大學(xué)
- 北京交通大學(xué)
- 廣東工業(yè)大學(xué)
- 廣西大學(xué)
- 南昌航空大學(xué)
- 廣西科技大學(xué)
- 山西大學(xué)光電研究所
- 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
- 清華大學(xué)
- 北京大學(xué)
- 哈爾冰工程大學(xué)
- 徐州醫(yī)科大學(xué)
- 山東大學(xué)
- 中科院半導(dǎo)體研究院
- 北京航空航天大學(xué)
- 南開大學(xué)
- 大連海事大學(xué)
- 重慶大學(xué)
- 大連理工大學(xué)
